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阻垢机理

阻垢机理

信息来源:本站 | 发布日期: 2018-12-24 | 浏览量:
关键词:阻垢剂抑制机制
  通常它们会干扰成核或晶体生长,在成核阶段,阈值阻垢剂与形成水垢的离子结合,但与螯合剂不同,结合离子必须可与其反离子相互作用。这破坏了晶体形成的早期平衡阶段的离子簇,在它们达到成核的临界尺寸之前破坏它们。结果,离子解离,释放抑制剂以重复该过程。在生长阶段,生长抑制剂通过阻断晶体的活性边缘来减缓水垢的生长。
  
  良好的晶体生长抑制剂对活性生长位点具有强亲和力,但在形成时应易于在晶体表面上扩散到其他活性位点。一旦抑制剂与晶格结合,晶体将形成得更慢并且变形。它们通常形状更圆,这使得它们不太可能粘附在表面上,更容易分散在整个系统中。在沉积阶段,分散剂防止新晶体聚集在一起形成大量的氧化皮材料。分散剂型抑制剂与表面相互作用并排斥其他带电粒子以防止结合。
  
  所有阻垢剂都以“阈值”方式运行,即浓度低于直接与结垢离子反应所需的浓度,推荐用于现场部署的典型抑制剂浓度为5-50ppm。
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